1N6673R

更新时间： 2024-09-13 07:23:11

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美高森美 - MICROSEMI		整流二极管局域网
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1页	93K
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DUAL ULTRAFAST POWER RECTIFIER

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1N6673R 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-254AA	包装说明：	S-XSFM-P3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.35
Is Samacsys：	N	应用：	POWER
配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.35 V
JEDEC-95代码：	TO-254AA	JESD-30 代码：	S-XSFM-P3
最大非重复峰值正向电流：	150 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最大输出电流：	15 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：	400 V	最大反向恢复时间：	0.035 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

1N6673R 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

DUAL ULTRAFAST POWER RECTIFIER

Qualified per MIL-PRF-19500/617

DEVICES

LEVELS

JAN

JANTX

JANTXV

1N6672

1N6673

1N6674

1N6672R

1N6673R

1N6674R

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted) (Per Diode)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Value

Unit

1N6672, R

1N6673, R

1N6674, R

300

400

500

Peak Repetitive Reverse Voltage

V_RWM

Vdc

Average Forward Current ⁽¹⁾

Peak Surge Forward Current

T_C= +100°C

I_F

150

2.0

Adc

I_FSM

R_θjc

A(pk)

°C/W

TO-254

Thermal Resistance - Junction to Case

Note:

(1) Derate @ 150mA/°C above T_C= 100°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Min.

Max.

Unit

1N6672, R

1N6673, R

1N6674, R

300

400

500

Breakdown Voltage ⁽²⁾

I_R= 500µAdc

• 1

• 2

• 3

V_BR

Vdc

1N6672, 1N6673, 1N6674

Forward Voltage ⁽²⁾

I_F= 10A (pk)

I_F= 20A (pk)

V_F1

V_F2

1.35

1.55

Vdc

Reverse Leakage Current ⁽²⁾

V_R= 240V

V_R= 320V

1N6672, R

1N6673, R

1N6674, R

I_R1

µAdc

V_R= 400V

• 1

• 2

• 3

Reverse Leakage Current ⁽²⁾

V_R= 240V, T_C= +100°C

V_R= 320V, T_C= +100°C

V_R= 400V, T_C= +100°C

1N6672R, 1N6673R, 1N6674R

1N6672, R

1N6673, R

1N6674, R

I_R2

mAdc

Reverse Recovery Time

I_F= 0.5A, I_R= 1A, I_RR= 0.25A

t_rr

Junction Capacitance

V_R= 10Vdc, f = 1.0MHz,

C_J

150

V_sig= 50mV (p-p) (max)

Note:

(2) Pulse Test; 300µS, duty cycle ≤ 2%

T4-LDS-0020 Rev. 1 (072046)

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