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1N6677UR-1E3

更新时间: 2024-09-13 14:46:07
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
6页 395K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon, DO-213AA, MELF-2

1N6677UR-1E3 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:MELF-2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.68外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:DO-213AA
JESD-30 代码:O-LELF-R2JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:0.2 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压:40 V
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:MATTE TIN OVER COPPER端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N6677UR-1E3 数据手册

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