1N6691SMSTX

更新时间： 2024-10-30 03:54:59

品牌	Logo	应用领域
SSDI		整流二极管超快恢复二极管快速恢复二极管
页数	文件大小	规格书
2页	89K
描述
20 AMP 600-1200 Volts 75 nsec ULTRA FAST RECTIFIER

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

1N6691SMSTX 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	E-LELF-R2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
应用：	ULTRA FAST RECOVERY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	E-LELF-R2
最大非重复峰值正向电流：	375 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	20 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ELLIPTICAL	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	800 V
最大反向恢复时间：	0.075 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	WRAP AROUND	端子位置：	END
Base Number Matches：	1

1N6691SMSTX 数据手册

1N6690-1N6693

and

1N6690US-1N6693US

Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

DESIGNER’S DATA SHEET

Part Number / Ordering Information ^1/

20 AMP

600-1200 Volts

75 nsec

1N66 __ __ __

L Screening^2/= None

ULTRA FAST RECTIFIER

⏐

TX = TX Level

TXV = TXV Level

S = S Level

Features:

• Replaces DO-4 and DO-5

• Ultra Fast Recovery

Package ____ = Axial

SMS = Surface Mount Square Tab

• PIV to 1200 Volts

Voltage

• Low Reverse Leakage

90 = 600 V

• Hermetically Sealed Void-Free Construction^3/

• Monolithic Single Chip Construction

• High Surge Rating

91 = 800 V

92 = 1000 V

93 = 1200 V

• Low Thermal Resistance

• Available in Surface Mount Versions (-US Suffix) and in

Button Tab Mounting (See Data Sheet RU0129).

• TX, TXV, and S-Level Screening Available^2/

Maximum Ratings

Symbol

Value

Units

Volts

1N6690 & 1N6690US

1N6691 & 1N6691US

1N6692 & 1N6692US

1N6693 & 1N6693US

600

800

1000

1200

Peak Repetitive Reverse and

DC Blocking Voltage

V_RRM

V_RWM

V_R

Average Rectified Forward Current

(Resistive Load, 60 Hz Sine Wave, T_A= 100ºC)

Amps

Repetitive Peak Surge Current

(8.3 ms Pulse, Half Sine Wave Superimposed on Io, Allow Junction to

Reach Equilibrium Between Pulses, T_A= 25ºC)

I_FSM

375

Amps

ºC

Operating & Storage Temperature

Top & Tstg

-65 to +175

Maximum Thermal Resistance

Junction to Leads, L = 3/8 "

Junction to End Tab

R_θJL

R_θJE

3.0

2.5

ºC/W

Notes:

1/ For Ordering Information, Price, Operating Curves, and Availability – Contact Factory.

2/ Screening Based on MIL-PRF-19500. Specifics Available on Request.

3/ PIND Testing not Required on Void Free Devices per MIL-PRF-19500.

Axial Leaded

SMS

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: RU0143D

DOC

中文翻译

下载PDF

与1N6691SMSTX相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N6691SMSTXV	SSDI	获取价格	20 AMP 600-1200 Volts 75 nsec ULTRA FAST RECTIFIER
1N6691TX	SSDI	获取价格	20 AMP 600-1200 Volts 75 nsec ULTRA FAST RECTIFIER
1N6691TXV	SSDI	获取价格	20 AMP 600-1200 Volts 75 nsec ULTRA FAST RECTIFIER
1N6691US	SSDI	获取价格	20 AMP 600 - 1200 VOLTS 75 ns ULTRA FAST RECTIFIER
1N6692	SSDI	获取价格	20 AMP 600-1200 Volts 75 nsec ULTRA FAST RECTIFIER
1N6692S	SSDI	获取价格	20 AMP 600-1200 Volts 75 nsec ULTRA FAST RECTIFIER
1N6692SMS	SSDI	获取价格	20 AMP 600-1200 Volts 75 nsec ULTRA FAST RECTIFIER
1N6692SMSS	SSDI	获取价格	20 AMP 600-1200 Volts 75 nsec ULTRA FAST RECTIFIER
1N6692SMSTX	SSDI	获取价格	20 AMP 600-1200 Volts 75 nsec ULTRA FAST RECTIFIER
1N6692SMSTXV	SSDI	获取价格	20 AMP 600-1200 Volts 75 nsec ULTRA FAST RECTIFIER

与1N6691SMSTX相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

19
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

20
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

45
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

52

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

1N6691SMSTX

1N6691SMSTX 技术参数

1N6691SMSTX 数据手册

与1N6691SMSTX相关器件

与1N6691SMSTX相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

1N6691SMSTX

1N6691SMSTX 技术参数

1N6691SMSTX 数据手册

与1N6691SMSTX相关器件

与1N6691SMSTX相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？