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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, DO-35, GLASS PACKAGE-2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.7 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-204AH |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 0.2 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大重复峰值反向电压： | 30 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | MATTE TIN OVER COPPER | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N6676E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, D |
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| 1N6676UR-1 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, DO-213AA, MELF-2 |
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| 1N6677 | CDI-DIODE |
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0.2 AND 0.5 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS |
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| 1N6677 | NJSEMI |
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Diode Schottky 40V 0.2A 2-Pin DO-35 |
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| 1N6677-1 | CDI-DIODE |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED PA |
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| 1N6677-1E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, |
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| 1N6677E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, D |
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| 1N6677UR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
0.2 & 0.5 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS |
|
| 1N6677UR-1E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon, DO-213AA, MELF-2 |
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| 1N6686 | SSDI |
获取价格 |
20 AMPS 100 - 200 VOLTS 40 nsec HYPER FAST RECTIFIER |
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