1N6659R

更新时间： 2024-11-06 06:26:47

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		整流二极管局域网超快恢复二极管快速恢复二极管
页数	文件大小	规格书
1页	94K
描述
DUAL ULTRAFAST POWER RECTIFIER

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

1N6659R 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-254AA
包装说明：	S-MSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.2	Is Samacsys：	N
应用：	ULTRA FAST RECOVERY	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	JEDEC-95代码：	TO-254AA
JESD-30 代码：	S-MSFM-P3	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值正向电流：	250 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最大输出电流：	10 A	封装主体材料：	METAL
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	200 V	最大反向恢复时间：	0.035 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N6659R 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

DUAL ULTRAFAST POWER RECTIFIER

Qualified per MIL-PRF-19500/616

DEVICES

LEVELS

1N6657

1N6658

1N6659

1N6657R

1N6658R

1N6659R

JAN

JANTX

JANTXV

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted) (Per Diode)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Value

Unit

Peak Repetitive Reverse Voltage

1N6657, R

1N6658, R

1N6659, R

100

150

200

V_RWM

Vdc

Average Forward Current ⁽¹⁾

Peak Surge Forward Current

T_C= +100°C

I_F

150

2.3

Adc

I_FSM

R_θjc

A(pk)

°C/W

TO-254

Thermal Resistance - Junction to Case

Note:

(1) Derate @ 300mA/°C above T_C= 100°C

(2) Pulse Test; 300µS, duty cycle ≤ 2%

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

• 1

• 2

• 3

Parameters / Test Conditions

OFF CHARACTERTICS

Symbol

Min.

Max.

Unit

Breakdown Voltage ⁽²⁾

I_R= 500µAdc

1N6657, R

1N6658, R

1N6659, R

100

150

200

1N6657, 1N6658, 1N6659

V_BR

Vdc

Forward Voltage ⁽²⁾

I_F= 10Adc

I_F= 20Adc

V_F1

V_F2

1.0

1.2

Reverse Leakage Current ⁽²⁾

V_R= 100V

V_R= 150V

1N6657, R

1N6658, R

1N6659, R

• 1

• 2

• 3

I_R1

µAdc

mAdc

V_R= 200V

Reverse Leakage Current

V_R= 100V, T_C= +100°C

V_R= 150V, T_C= +100°C

V_R= 200V, T_C= +100°C

1N6657R, 1N6658R, 1N6659R

1N6657, R

1N6658, R

1N6659, R

I_R2

1.0

Reverse Recovery Time

I_F= 1.0A, I_R= 1A, I_RR= 100mA

t_rr

Junction Capacitance

V_R= 10Vdc, f = 1.0MHz, V_SIG= 50mV(p-p) max

C_J

150

T4-LDS-0068 Rev. 1 (082207)

Page 1 of 1

中文翻译

下载PDF

与1N6659R相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N6659RS	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 30A, Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254, 3 PI
1N6660	SSDI	获取价格	40 AMP, 45 VOLTS CENTERTAP SCHOTTKY RECTIFIER
1N6660	MICROSEMI	获取价格	30 Amp / 45 VOLTS COMMON CATHODE OR COMMON ANODE SCHOTTKY RECTIFIER
1N6660CAT1	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 45V V(RRM), Silicon, TO-254AA, TO-254,
1N6660CCT1	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 45V V(RRM), Silicon, TO-254AA, TO-254,
1N6660CCT1E3	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 45V V(RRM), Silicon, TO-254AA,
1N6660D	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 40A, 45V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETI
1N6660DR	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 40A, 45V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETI
1N6660DRTX	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 40A, 45V V(RRM),
1N6660DT1	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 45V V(RRM), Silicon, TO-254AA, TO-254,

与1N6659R相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

14
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

12
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

36
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

33

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

1N6659R

1N6659R 技术参数

1N6659R 数据手册

与1N6659R相关器件

与1N6659R相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

1N6659R

1N6659R 技术参数

1N6659R 数据手册

与1N6659R相关器件

与1N6659R相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？