生命周期: | Transferred | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.6 | 应用: | POWER |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1 V | JEDEC-95代码: | TO-254AA |
JESD-30 代码: | S-MSFM-P3 | 最大非重复峰值正向电流: | 300 A |
元件数量: | 2 | 相数: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 15 A |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 最大重复峰值反向电压: | 45 V |
最大反向电流: | 1000 µA | 表面贴装: | NO |
技术: | SCHOTTKY | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | SINGLE |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N6660V | SENSITRON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO | |
1N6661 | MICROSEMI |
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VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALED STANDARD RECOVERY GLASS RECTIFIERS | |
1N6661 | DIGITRON |
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Rectifier Diode | |
1N6661HR | DIGITRON |
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Rectifier Diode | |
1N6661US | MICROSEMI |
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VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALED STANDARD RECOVERY GLASS RECTIFIERS | |
1N6662 | MICROSEMI |
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VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALED STANDARD RECOVERY GLASS RECTIFIERS | |
1N6662US | MICROSEMI |
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VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALED STANDARD RECOVERY GLASS RECTIFIERS | |
1N6663 | MICROSEMI |
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VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALED STANDARD RECOVERY GLASS RECTIFIERS | |
1N6663 | DIGITRON |
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Rectifier Diode | |
1N6663-PBF | DIGITRON |
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Rectifier Diode |