5秒后页面跳转
1N6660T1E3 PDF预览

1N6660T1E3

更新时间: 2024-11-07 05:16:51
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
6页 648K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 45V V(RRM), Silicon, TO-254AA,

1N6660T1E3 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.6应用:POWER
外壳连接:ISOLATED配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJEDEC-95代码:TO-254AA
JESD-30 代码:S-MSFM-P3最大非重复峰值正向电流:300 A
元件数量:2相数:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:15 A
封装主体材料:METAL封装形状:SQUARE
封装形式:FLANGE MOUNT最大重复峰值反向电压:45 V
最大反向电流:1000 µA表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY端子形式:PIN/PEG
端子位置:SINGLE

1N6660T1E3 数据手册

 浏览型号1N6660T1E3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1N6660T1E3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号1N6660T1E3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号1N6660T1E3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号1N6660T1E3的Datasheet PDF文件第6页 

与1N6660T1E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N6660V SENSITRON

获取价格

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO
1N6661 MICROSEMI

获取价格

VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALED STANDARD RECOVERY GLASS RECTIFIERS
1N6661 DIGITRON

获取价格

Rectifier Diode
1N6661HR DIGITRON

获取价格

Rectifier Diode
1N6661US MICROSEMI

获取价格

VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALED STANDARD RECOVERY GLASS RECTIFIERS
1N6662 MICROSEMI

获取价格

VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALED STANDARD RECOVERY GLASS RECTIFIERS
1N6662US MICROSEMI

获取价格

VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALED STANDARD RECOVERY GLASS RECTIFIERS
1N6663 MICROSEMI

获取价格

VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALED STANDARD RECOVERY GLASS RECTIFIERS
1N6663 DIGITRON

获取价格

Rectifier Diode
1N6663-PBF DIGITRON

获取价格

Rectifier Diode