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1N6666

更新时间: 2024-09-15 20:00:55
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美高森美 - MICROSEMI /
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1页 120K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 6A, Silicon, HERMETIC SEALED, ISOLATED TO-257, 3 PIN

1N6666 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-257
包装说明:S-MSFM-P3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.49
应用:ULTRA FAST RECOVERY二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:S-MSFM-P3
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:100 A
相数:1端子数量:3
最大输出电流:6 A封装主体材料:METAL
封装形状:SQUARE封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大反向恢复时间:0.035 µs表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:PIN/PEG
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N6666 数据手册

  

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