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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-35 |
| 包装说明： | HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.29 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 0.3 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大重复峰值反向电压： | 75 V | 最大反向恢复时间： | 0.005 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N6642578E | ETC |
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SIGNAL OR COMPUTER DIODE |
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| 1N6642CSM | SEME-LAB |
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SWITCHING DIODE IN A CERAMIC SURFACE MOUNT |
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| 1N6642D1A | SEME-LAB |
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SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE |
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| 1N6642D2A | SEME-LAB |
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SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE |
|
| 1N6642D2B | SEME-LAB |
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SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE |
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| 1N6642D2D |
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Diode |
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| 1N6642R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, 100V V(RRM), Silicon, |
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| 1N6642U | STMICROELECTRONICS |
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Aerospace 0.3 A - 100 V switching diode |
|
| 1N6642U | SENSITRON |
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SIGNAL OR COMPUTER DIODE |
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| 1N6642U | CDI-DIODE |
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SWITCHING DIODES |
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