是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | R-CDSO-N3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.70 |
风险等级: | 5.32 | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码: | R-CDSO-N3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 0.3 A |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散: | 0.385 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 75 V | 最大反向恢复时间: | 0.005 µs |
表面贴装: | YES | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N6642D1A | SEME-LAB |
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SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | |
1N6642D2A | SEME-LAB |
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SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | |
1N6642D2B | SEME-LAB |
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SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | |
1N6642D2D |
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Diode | ||
1N6642R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, 100V V(RRM), Silicon, | |
1N6642U | STMICROELECTRONICS |
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Aerospace 0.3 A - 100 V switching diode | |
1N6642U | SENSITRON |
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SIGNAL OR COMPUTER DIODE | |
1N6642U | CDI-DIODE |
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SWITCHING DIODES | |
1N6642U | MICROSEMI |
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SWITCHING DIODES | |
1N6642U01D | STMICROELECTRONICS |
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航空航天0.3 A- 100 V开关二极管 |