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1N6650-1

更新时间： 2024-11-18 21:10:23

品牌	Logo	应用领域
SENSITRON		瞄准线二极管
页数	文件大小	规格书
2页	84K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, DO-41, HERMETIC SEALED PACKAGE-2

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1N6650-1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-41
包装说明：	O-LALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.19
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS, METALLURGICALLY BONDED	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-41
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

1N6650-1 数据手册

1N6650-1

1N6650UR-1

SENSITRON

SEMICONDUCTOR

TECHNICAL DATA

DATASHEET 4243, Rev-

SCHOTTKY FAST SWITCHING DIODES 1N6650-1/UR-1

Sensitron’s Power Semiconductor Products have been used in space, military and high-rel applications for more

than 30 years. Our 50V Schottky fast switching diodes, 1N6650-1 and 1N6650UR-1, include axial and melf

packaging. We also supply 50V Schottky die products.

Applications / Markets:

▼Switching Power Supply

▼Converters

▼Free-Wheeling Diodes

▼Polarity Protection Diode

▼High-rel Industrial

▼Military

Features / Benefits:

▼Ultra-low Reverse Leakage Current

▼ Soft Reverse Recovery at Low and High Temperature

▼Very Low Forward Voltage Drop

▼Low Power Loss, High Efficiency

▼High Surge Capacity

▼Guaranteed Reverse Avalanche Characteristics

▼Outperforms 50Volt Ultra Fast Rectifiers

▼ Hermetic, non-cavity glass package

▼ Metallurgically bonded

▼Aerospace

▼ Space/satellites

▼Screening to TX, TXV. S levels available

▼Tape & reel available

All ratings are at T_A= 25^oC unless otherwise specified

RATING

Peak Inverse Voltage

Average DC Output Current (I_o)

SYMBOL

VRWM

CONDITIONS

MIN

MAX

UNIT

Vdc

←

↑

1.0

Amps

Amps(pk)

UNIT

Peak Single Cycle Surge Current (I_fsm

)

IFSM

t_p= 8.3 ms Half Sine Wave,

MIN

CHARACTERISTIC

CONDITIONS

MAX

0.39

Maximum Forward Voltage

Volts

I_F= 0.1A (300 µsec pulse,

duty cycle < 2%)

Maximum Forward Voltage

0.56

Volts

I_F= 1.0A (300 µsec pulse,

duty cycle < 2%)

Maximum Instantaneous

T_A= 25° C VR=100V

µAmps

Reverse Current At Rated VRWM

Junction Capacitance (C_J)

V_R= 5 Vdc

• 221 West Industry Court ꢀ Deer Park, NY 11729 ꢀ (631) 586 7600 FAX (631) 242 9798 •

• World Wide Web Site - http://www.sensitron.com • E-mail Address - sales@sensitron.com •

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与1N6650-1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N6650-1S	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
1N6650-1V	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
1N6650-1X	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
1N6650UR-1	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, DO-213AB, HERMETIC SEALED, MELF-2
1N6650UR-1HRV	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, DO-41,
1N6650UR-1HRX	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, DO-41,
1N6650UR-1V	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
1N6650UR-1X	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
1N6651	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 20A, Silicon, TO-59,
1N6651	SSDI	获取价格	Rectifier Diode,

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