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1N6650UR-1

更新时间： 2024-09-14 21:10:23
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON 瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
2页 84K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, DO-213AB, HERMETIC SEALED, MELF-2

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1N6650UR-1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-213AB
包装说明：O-LELF-R2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.53
其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS, METALLURGICALLY BONDED外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-213AB
JESD-30 代码：O-LELF-R2湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最大输出电流：1 A封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：WRAP AROUND端子位置：END
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

1N6650UR-1 数据手册

 浏览型号1N6650UR-1的Datasheet PDF文件第2页 
1N6650-1  
1N6650UR-1  
SENSITRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL DATA  
DATASHEET 4243, Rev-  
SCHOTTKY FAST SWITCHING DIODES 1N6650-1/UR-1  
Sensitron’s Power Semiconductor Products have been used in space, military and high-rel applications for more  
than 30 years. Our 50V Schottky fast switching diodes, 1N6650-1 and 1N6650UR-1, include axial and melf  
packaging. We also supply 50V Schottky die products.  
Applications / Markets:  
▼Switching Power Supply  
▼Converters  
▼Free-Wheeling Diodes  
▼Polarity Protection Diode  
▼High-rel Industrial  
▼Military  
Features / Benefits:  
▼Ultra-low Reverse Leakage Current  
▼ Soft Reverse Recovery at Low and High Temperature  
▼Very Low Forward Voltage Drop  
▼Low Power Loss, High Efficiency  
▼High Surge Capacity  
▼Guaranteed Reverse Avalanche Characteristics  
▼Outperforms 50Volt Ultra Fast Rectifiers  
▼ Hermetic, non-cavity glass package  
▼ Metallurgically bonded  
▼Aerospace  
▼ Space/satellites  
▼Screening to TX, TXV. S levels available  
▼Tape & reel available  
All ratings are at TA = 25oC unless otherwise specified  
RATING  
Peak Inverse Voltage  
Average DC Output Current (Io)  
SYMBOL  
VRWM  
Io  
CONDITIONS  
MIN  
MAX  
45  
UNIT  
Vdc  
-
←
↑
-
1.0  
Amps  
Amps(pk)  
UNIT  
Peak Single Cycle Surge Current (Ifsm  
)
IFSM  
tp = 8.3 ms Half Sine Wave,  
-
MIN  
-
25  
CHARACTERISTIC  
CONDITIONS  
MAX  
0.39  
Maximum Forward Voltage  
Vf  
Vf  
Ir  
Volts  
IF = 0.1A (300 µsec pulse,  
duty cycle < 2%)  
Maximum Forward Voltage  
-
-
0.56  
25  
Volts  
IF = 1.0A (300 µsec pulse,  
duty cycle < 2%)  
Maximum Instantaneous  
TA = 25° C VR=100V  
µAmps  
Reverse Current At Rated VRWM  
Junction Capacitance (CJ)  
VR = 5 Vdc  
pF  
-
70  
• 221 West Industry Court ꢀ Deer Park, NY 11729 ꢀ (631) 586 7600 FAX (631) 242 9798 •  
• World Wide Web Site - http://www.sensitron.com • E-mail Address - sales@sensitron.com •  
12

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与1N6650UR-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N6650UR-1HRV MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, DO-41,
1N6650UR-1HRX MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, DO-41,
1N6650UR-1V SENSITRON

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
1N6650UR-1X SENSITRON

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
1N6651 MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 20A, Silicon, TO-59,
1N6651 SSDI

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 		Rectifier Diode,
1N6652 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 20A, Silicon, TO-59,
1N6652 SSDI

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 		Rectifier Diode,
1N6653 SSDI

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 		Rectifier Diode,
1N6654 MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 20A, Silicon, TO-254, 3 PIN

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