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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 1N6643U
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1N6643U

更新时间： 2024-09-13 23:16:11
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管开关
页数 文件大小 规格书
2页 46K
描述
SWITCHING DIODES

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1N6643U 数据手册

 浏览型号1N6643U的Datasheet PDF文件第2页 
• 1N6638US,1N6642US, 1N6643US AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV AND JANS  
PER MIL-PRF-19500/578  
• 1N6638U,1N6642U, 1N6643U AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV AND JANS  
1N6638U & US  
1N6642U & US  
1N6643U & US  
PER MIL-PRF-19500/578  
• SWITCHING DIODES  
• NON-CAVITY GLASS PACKAGE  
• METALLURGICALLY BONDED  
MAXIMUM RATINGS  
Operating Temperature: -65°C to +175°C  
Storage Temperature: -65°C to +175°C  
Operating Current: 300 mA  
Derating: 4.6 mA/°C Above T  
Surge Current: IFSM = 2.5A, half sine wave, P = 8.3ms  
= + 110°C  
EC  
w
MILLIMETERS  
INCHES  
DIM MIN  
MAX  
2.16  
0.71  
4.95  
MIN MAX  
0.070 0.085  
0.019 0.028  
0.165 0.195  
0.003MIN.  
D
F
G
1.78  
0.48  
4.19  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise specified.  
V
V
V
I
V
I
t
t
rr  
S
0.08MIN.  
BR  
@ I  
RWM  
F1  
F2  
@
F2  
fr  
TYPES  
I
I
= 10 mA  
I = 10 mA  
F
R
FM  
F
R
=100 µA  
=10 mA  
FIGURE 1  
(Pulsed)  
(Pulsed)  
=50 mA  
ns  
I
= 1 mA  
REC  
V (pk)  
V (pk)  
V dc  
V dc  
mA  
ns  
1N6638U & US  
1N6642U & US  
1N6643U & US  
150  
100  
75  
125  
75  
0.8  
0.8  
1.0  
1.1  
1.2  
1.2  
200  
100  
100  
20  
20  
20  
4.5  
5.0  
6.0  
DESIGN DATA  
50  
CASE: D-5D, Hermetically sealed glass  
case, per MIL-PRF- 19500/578  
LEAD FINISH: Tin / Lead  
I
I
I
I
C
C
R1  
R2  
V
R3  
R4  
T1  
T2  
TYPES  
THERMAL RESISTANCE: (R  
50 °C/W maximum at L = 0  
):  
OJEC  
V
V
= 20 V  
V
= V  
V
=
V
=
R
R
@
R
R
R
RWM  
R
= 20 V  
= V  
T
= 150°C  
T = 150°C  
A
0V  
1.5V  
RWM  
A
THERMAL IMPEDANCE: (Z  
°C/W maximum  
): 25  
nA dc  
µA dc  
µA dc  
µA dc  
pF  
pF  
JX  
O
1N6638U & US  
1N6642U & US  
1N6643U & US  
35  
25  
50  
0.5  
0.5  
0.5  
50  
50  
75  
100  
100  
160  
2.5  
5.0  
5.0  
2.0  
2.8  
2.8  
POLARITY: Cathode end is banded.  
MOUNTING SURFACE SELECTION:  
The Axial Coefficient of Expansion  
(COE) of this device is approximately  
+ 4PPM / °C. The COE of the Mounting  
Surface System should be selected to  
provide a suitable match with this  
device.  
6 LAKE STREET, LAWRENCE, MASSACHUSETTS 01841  
PHONE (978) 620-2600  
FAX (781) 689-0803  
WEBSITE: http://www.microsemi.com  
157  
12

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1N6643U 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTX1N6643US MICROSEMI

完全替代

 COMPUTER SWITCHING DIODE
JANTX1N6643 MICROSEMI

完全替代

 COMPUTER SWITCHING DIODE
JANS1N6643US MICROSEMI

完全替代

 COMPUTER SWITCHING DIODE

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N6643US MICROSEMI

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 		COMPUTER SWITCHING DIODE
1N6643US CDI-DIODE

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 		SWITCHING DIODES
1N6643US SENSITRON

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 		Small Signal/Switching Diodes
1N6643USE3 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, 50V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GL
1N6650-1 SENSITRON

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, DO-41, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
1N6650-1S SENSITRON

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
1N6650-1V SENSITRON

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
1N6650-1X SENSITRON

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
1N6650UR-1 SENSITRON

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, DO-213AB, HERMETIC SEALED, MELF-2
1N6650UR-1HRV MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, DO-41,

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