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1N6642US

更新时间： 2024-09-13 22:37:43
品牌 Logo 应用领域
CDI-DIODE 整流二极管开关
页数 文件大小 规格书
2页 74K
描述
SWITCHING DIODES

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1N6642US 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：HERMETIC SEALED, GLASS, D-5D, 2 PIN
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.59
Is Samacsys：N其他特性：METALLURGICALLY BONDED
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：O-LELF-R2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最大输出电流：0.3 A封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：75 V
最大反向恢复时间：0.005 µs表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：WRAP AROUND
端子位置：ENDBase Number Matches：1

1N6642US 数据手册

 浏览型号1N6642US的Datasheet PDF文件第2页 
• 1N6638US,1N6642US, 1N6643US AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV AND JANS  
PER MIL-PRF-19500/578  
• 1N6638U,1N6642U, 1N6643U AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV AND JANS  
1N6638U & US  
1N6642U & US  
1N6643U & US  
PER MIL-PRF-19500/578  
• SWITCHING DIODES  
• NON-CAVITY GLASS PACKAGE  
• METALLURGICALLY BONDED  
MAXIMUM RATINGS  
Operating Temperature: -65°C to +175°C  
Storage Temperature: -65°C to +175°C  
Operating Current: 300 mA  
Derating: 4.6 mA/°C Above T  
Surge Current: IFSM = 2.5A, half sine wave, P = 8.3ms  
= + 110°C  
EC  
w
MILLIMETERS  
INCHES  
DIM MIN  
MAX  
2.16  
0.71  
4.95  
MIN MAX  
0.070 0.085  
0.019 0.028  
0.165 0.195  
0.003MIN.  
D
F
G
1.78  
0.48  
4.19  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise specified.  
V
V
V
I
V
I
t
t
rr  
S
0.08MIN.  
BR  
@ I  
RWM  
F1  
F2  
@
F2  
fr  
TYPES  
I
I
= 10 mA  
I = 10 mA  
F
R
FM  
F
R
=100 µA  
=10 mA  
FIGURE 1  
(Pulsed)  
(Pulsed)  
=50 mA  
ns  
I
= 1 mA  
REC  
V (pk)  
V (pk)  
V dc  
V dc  
1.1  
mA  
ns  
1N6638U & US  
1N6642U  
150  
&
125  
US  
U0S  
0.8  
200  
1.2  
100  
20  
100  
20  
4.5  
DESIGN DATA  
100  
755 1.0  
751.0  
20 .0  
6.0  
5
1N6643U  
&
1.2  
CASE: D-5D, Hermetically sealed glass  
case, per MIL-PRF- 19500/578  
LEAD FINISH: Tin / Lead  
I
I
I
I
C
C
R1  
R2  
V
R3  
R4  
T1  
T2  
TYPES  
THERMAL RESISTANCE: (R  
50 °C/W maximum at L = 0  
):  
OJEC  
V
V
= 20 V  
V
= V  
V
=
V
=
R
R
@
R
R
R
RWM  
= 150°C  
R
= 20 V  
= V  
T
= 150°C  
T
0V  
1.5V  
RWM  
A
A
THERMAL IMPEDANCE: (Z  
°C/W maximum  
): 25  
nA dc  
µA dc  
µA dc  
µA dc  
pF  
pF  
JX  
O
1N6638U  
1N6642U & US  
1N6643U & US  
&
25  
50  
US 0  
0.5  
0.5  
350.5 100  
2.52.0  
100  
160  
50  
75  
5.0  
5.0  
2.8  
2.8  
POLARITY: Cathode end is banded.  
MOUNTING SURFACE SELECTION:  
The Axial Coefficient of Expansion  
(COE) of this device is approximately  
+ 4PPM / °C. The COE of the Mounting  
Surface System should be selected to  
provide a suitable match with this  
device.  
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176  
PHONE (781) 665-1071  
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com  
FAX (781) 665-7379  
E-mail: mail@cdi-diodes.com  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N6642X MICROSEMI

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