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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | O-MALF-W2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.84 | 最小击穿电压： | 21.2 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JEDEC-95代码： | DO-13 |
| JESD-30 代码： | O-MALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 1500 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | BIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 18 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N6361TRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 18V V(RWM), Unidirectional, |
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| 1N6362 | MICROSEMI |
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TRANSIENT ABSORPTION ZENER |
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| 1N6362 | VISHAY |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 22V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HER |
|
| 1N6362 | PROTEC |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 22V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon |
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| 1N6362 | LITTELFUSE |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 22V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
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| 1N6362C | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 22V V(RWM), Bidirectional, |
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| 1N6362CE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 22V V(RWM), Bidirectional, |
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| 1N6362CTR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 22V V(RWM), Bidirectional, |
|
| 1N6362CTRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 22V V(RWM), Bidirectional, |
|
| 1N6362E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 22V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
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