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1N6364

更新时间: 2024-11-28 22:37:43
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管局域网
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2页 93K
描述
TRANSIENT ABSORPTION ZENER

1N6364 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Active
零件包装代码:DO-13包装说明:O-MALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.25Is Samacsys:N
最小击穿电压:52.9 V外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码:DO-202AA
JESD-30 代码:O-MALF-W2最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1 W参考标准:IEC-61000-4-2, 4-4, 4-5
最大重复峰值反向电压:45 V表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

1N6364 数据手册

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1N6364 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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完全替代

TRANSIENT ABSORPTION ZENER
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