Datasheet > 1N6366

1N6366

更新时间： 2024-11-30 20:13:51

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
2页	133K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 10V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, METAL GLASS, DO-13, 2 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

1N6366 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-13	包装说明：	O-MALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.85	最小击穿电压：	11.7 V
击穿电压标称值：	12 V	外壳连接：	CATHODE
最大钳位电压：	14.5 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	O-MALF-W2	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值反向功率耗散：	1500 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	BIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	10 V	最大反向电流：	2 µA
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N6366C	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 10V V(RWM), Bidirectional,
1N6366CE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 10V V(RWM), Bidirectional,
1N6366CTR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 10V V(RWM), Bidirectional,
1N6366CTRE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 10V V(RWM), Bidirectional,
1N6366E3TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 10V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
1N6366PBF	DIGITRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode
1N6366TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 10V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
1N6366TRE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 10V V(RWM), Bidirectional,
1N6367	LITTELFUSE	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
1N6367	PROTEC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 12V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon