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1N6367

更新时间: 2024-09-18 22:37:43
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管局域网
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2页 93K
描述
TRANSIENT ABSORPTION ZENER

1N6367 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-13
包装说明:O-MALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.24
最小击穿电压:14.1 V击穿电压标称值:14 V
外壳连接:CATHODE最大钳位电压:17.1 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码:DO-202AA
JESD-30 代码:O-MALF-W2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:12 V子类别:Transient Suppressors
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N6367 数据手册

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1N6367 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MPT-12C MICROSEMI

完全替代

TRANSIENT ABSORPTION ZENER
ICT-12C MICROSEMI

类似代替

TRANSIENT ABSORPTION ZENER

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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1N6368 LITTELFUSE

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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 15V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-