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1N6370

更新时间: 2024-09-18 22:19:35
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美高森美 - MICROSEMI 二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 93K
描述
TRANSIENT ABSORPTION ZENER

1N6370 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
零件包装代码:DO-13包装说明:O-MALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.83最小击穿电压:25.9 V
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-202AAJESD-30 代码:O-MALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:1 W
参考标准:IEC-61000-4-2, 4-4, 4-5最大重复峰值反向电压:22 V
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

1N6370 数据手册

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1N6370 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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完全替代

TRANSIENT ABSORPTION ZENER
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完全替代

TRANSIENT ABSORPTION ZENER
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 36V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-