5秒后页面跳转
1N6372E3 PDF预览

1N6372E3

更新时间: 2024-09-20 08:25:31
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
7页 573K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 45V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-202AA, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, METAL, DO-13, 2 PIN

1N6372E3 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-13
包装说明:O-MALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.35
最小击穿电压:52.9 V外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码:DO-202AA
JESD-30 代码:O-MALF-W2JESD-609代码:e3
最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:45 V表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:MATTE TIN
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N6372E3 数据手册

 浏览型号1N6372E3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1N6372E3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号1N6372E3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号1N6372E3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号1N6372E3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号1N6372E3的Datasheet PDF文件第7页 

与1N6372E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N6372E3TR MICROSEMI

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 45V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
1N6372TR MICROSEMI

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 45V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
1N6373 MDE

获取价格

GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
1N6373 TAITRON

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode,
1N6373 ONSEMI

获取价格

1500 Watt Peak Power Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors
1N6373 FREESCALE

获取价格

Zener Transient Voltage Suppressors Unidirectional and Bidirectional
1N6373 NJSEMI

获取价格

1500 WATT LOW CLAMPING FACTOF TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSO
1N6373 MOTOROLA

获取价格

Zener Transient Voltage Suppressors Unidirectional and Bidirectional
1N6373 VISHAY

获取价格

TRANSZORB® Transient Voltage Suppressors
1N6373/1 VISHAY

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLAS