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ICT-12C

更新时间: 2024-09-18 22:05:07
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美高森美 - MICROSEMI 二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 75K
描述
TRANSIENT ABSORPTION ZENER

ICT-12C 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:O-MALF-W2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.8最小击穿电压:14.1 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码:DO-202AA
JESD-30 代码:O-MALF-W2最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1 W参考标准:MIL-19500
最大重复峰值反向电压:12 V表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

ICT-12C 数据手册

 浏览型号ICT-12C的Datasheet PDF文件第2页 

ICT-12C 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N6367 MICROSEMI

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TRANSIENT ABSORPTION ZENER
MPT-12C MICROSEMI

类似代替

TRANSIENT ABSORPTION ZENER

与ICT-12C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ICT-12CB LITTELFUSE

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ICT-12CE3 MICROSEMI

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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 12V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
ICT-12CT LITTELFUSE

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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-13
ICT-12E3 MICROSEMI

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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
ICT-143-SP122-TG 3M

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ICT-143-SP122-TG30 3M

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DIP14, IC SOCKET
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DIP14, IC SOCKET
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DIP14, IC SOCKET
ICT-143-SP132-TG30 3M

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DIP14, IC SOCKET
ICT-143-SP132-TT 3M

获取价格

DIP14, IC SOCKET