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1N6362

更新时间： 2024-09-18 22:37:43

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1N6362 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-13
包装说明：	O-MALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.31
最小击穿电压：	25.9 V	击穿电压标称值：	26 V
外壳连接：	CATHODE	最大钳位电压：	32 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	DO-202AA
JESD-30 代码：	O-MALF-W2	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值反向功率耗散：	1500 W	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	22 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N6362C	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 22V V(RWM), Bidirectional,
1N6362CE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 22V V(RWM), Bidirectional,
1N6362CTR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 22V V(RWM), Bidirectional,
1N6362CTRE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 22V V(RWM), Bidirectional,
1N6362E3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 22V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
1N6362MPT-22	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 22V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
1N6362MPT-22C	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 22V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-1
1N6362TRE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 22V V(RWM), Unidirectional,
1N6363	DIGITRON	获取价格	Transient Voltage Suppressor, Uni-directional; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 1500;
1N6363	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 36V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HER