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1N6362E3

更新时间： 2024-11-30 08:49:03

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
7页	573K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 22V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-202AA, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, METAL, DO-13, 2 PIN

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1N6362E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-13
包装说明：	O-MALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.31
最小击穿电压：	25.9 V	击穿电压标称值：	25.9 V
外壳连接：	CATHODE	最大钳位电压：	32 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	DO-202AA
JESD-30 代码：	O-MALF-W2	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值反向功率耗散：	1500 W	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	22 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N6362MPT-22	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 22V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
1N6362MPT-22C	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 22V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-1
1N6362TRE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 22V V(RWM), Unidirectional,
1N6363	DIGITRON	获取价格	Transient Voltage Suppressor, Uni-directional; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 1500;
1N6363	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 36V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HER
1N6363	LITTELFUSE	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 37V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
1N6363	MICROSEMI	获取价格	TRANSIENT ABSORPTION ZENER
1N6363	PROTEC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon
1N6363C	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 36V V(RWM), Bidirectional,
1N6363CE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 36V V(RWM), Bidirectional,