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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-MALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.31 |
| 最小击穿电压： | 25.9 V | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大钳位电压： | 32 V | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码： | O-MALF-W2 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 1500 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 22 V | 最大反向电流： | 2 µA |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N6362C | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 22V V(RWM), Bidirectional, |
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| 1N6362CE3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 22V V(RWM), Bidirectional, |
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| 1N6362CTR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 22V V(RWM), Bidirectional, |
|
| 1N6362CTRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 22V V(RWM), Bidirectional, |
|
| 1N6362E3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 22V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
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| 1N6362MPT-22 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 22V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
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| 1N6362MPT-22C | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 22V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-1 |
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| 1N6362TRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 22V V(RWM), Unidirectional, |
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| 1N6363 | DIGITRON |
获取价格 |
Transient Voltage Suppressor, Uni-directional; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 1500; |
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| 1N6363 | VISHAY |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 36V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HER |
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