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| 力特 - LITTELFUSE |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 2页 | 170K |  |
| 描述 | ||
| Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 22V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-13 | ||
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | O-MALF-W2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.85 | 其他特性： | LOW IMPEDANCE |
| 最小击穿电压： | 25.9 V | 击穿电压标称值： | 26 V |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大钳位电压： | 32 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JEDEC-95代码： | DO-13 |
| JESD-30 代码： | O-MALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 1500 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 22 V |
| 子类别： | Transient Suppressors | 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N6362C | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 22V V(RWM), Bidirectional, |
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| 1N6362CE3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 22V V(RWM), Bidirectional, |
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| 1N6362CTR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 22V V(RWM), Bidirectional, |
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| 1N6362CTRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 22V V(RWM), Bidirectional, |
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| 1N6362E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 22V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
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| 1N6362MPT-22 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 22V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
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| 1N6362MPT-22C | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 22V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-1 |
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| 1N6362TRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 22V V(RWM), Unidirectional, |
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| 1N6363 | DIGITRON |
获取价格 |
Transient Voltage Suppressor, Uni-directional; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 1500; |
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| 1N6363 | VISHAY |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 36V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HER |
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