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| 力特 - LITTELFUSE |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 2页 | 170K |  |
| 描述 | ||
| Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 18V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-13, | ||
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | O-MALF-W2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW IMPEDANCE | 最小击穿电压： | 21.2 V |
| 击穿电压标称值： | 21 V | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大钳位电压： | 25.2 V | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-13 | JESD-30 代码： | O-MALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 1500 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 18 V | 子类别： | Transient Suppressors |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N6361C | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 18V V(RWM), Bidirectional, |
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| 1N6361CE3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 18V V(RWM), Bidirectional, |
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| 1N6361CTR | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| 1N6361CTRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 18V V(RWM), Bidirectional, |
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| 1N6361E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 18V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
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| 1N6361E3TR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 18V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
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| 1N6361MPT-18C | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 18V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-1 |
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| 1N6361TRE3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 18V V(RWM), Unidirectional, |
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| 1N6362 | MICROSEMI |
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TRANSIENT ABSORPTION ZENER |
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| 1N6362 | VISHAY |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 22V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HER |
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