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1N5821-T/R

更新时间: 2024-11-06 20:43:55
品牌 Logo 应用领域
FRONTIER 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 43K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon,

1N5821-T/R 技术参数

生命周期:Contact ManufacturerReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.09应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.5 VJESD-30 代码:O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流:80 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:3 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大反向电流:2000 µA
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

1N5821-T/R 数据手册

  

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