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1N5821USE3

更新时间: 2024-02-26 00:32:10
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
8页 1050K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 30V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, D5B, 2 PIN

1N5821USE3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:HERMETIC SEALED, D5B, 2 PINReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.31其他特性:METALLURGICALLY BONDED
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.4 V
JESD-30 代码:O-LELF-R2最大非重复峰值正向电流:80 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:125 °C
最大输出电流:3 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大重复峰值反向电压:30 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
Base Number Matches:1

1N5821USE3 数据手册

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