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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | 二极管 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
5页 | 66K | |
描述 | ||
LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER |
是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | HERMETIC SEALED, D5B, 2 PIN |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 1.63 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | METALLURGICALLY BONDED | 应用: | GENERAL PURPOSE |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 0.4 V | JESD-30 代码: | O-LELF-R2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 125 °C | 最大输出电流: | 3 A |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 40 V |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | YES |
技术: | SCHOTTKY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | WRAP AROUND | 端子位置: | END |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
1N5822/1-E3 | VISHAY | DIODE 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode |
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1N5822/23 | VISHAY | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC |
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1N5822/4E-E3 | VISHAY | DIODE 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode |
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1N5822/4F | VISHAY | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC |
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1N5822/4G | VISHAY | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC |
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1N5822/4G-E3 | VISHAY | DIODE 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode |
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