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1N5822/64

更新时间： 2024-02-10 11:29:01

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威世 - VISHAY		功效二极管
页数	文件大小	规格书
4页	184K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2

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1N5822/64 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-201AD	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.04	其他特性：	FREE WHEELING DIODE
应用：	EFFICIENCY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-201AD
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值正向电流：	80 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	3 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	40 V	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

1N5822/64 数据手册

1N5820, 1N5821 & 1N5822

Vishay General Semiconductor

Schottky Barrier Rectifier

Major Ratings and Characteristics

I_F(AV)

V_RRM

I_FSM

3.0 A

20 V, 30 V, 40 V

80 A

V_F

0.475 V, 0.500 V, 0.525 V

125 °C

T_jmax.

DO-201AD

Features

Typical Applications

• Guardring for overvoltage protection

• Very small conduction losses

• Extremely fast switching

For use in low voltage high frequency inverters, free

wheeling, dc-to-dc converters, and polarity protection

applications

• Low forward voltage drop

Mechanical Data

Case: DO-201AD

Epoxy meets UL 94V-0 Flammability rating

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002B and JESD22-B102D

• High forward surge capability

• High frequency operation

• Solder Dip 260 °C, 40 seconds

E3 suffix for commercial grade

Polarity: Color band denotes the cathode end

Maximum Ratings

T_A= 25 °C unless otherwise specified

Parameter

Symbols

V_RRM

1N5820

1N5821

1N5822

Units

*Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

V_RMS

V_DC

3.0

Maximum DC blocking voltage

Non-repetitive peak reverse voltage

V_RSM

I_F(AV)

Maximum average forward rectified current 0.375" (9.5 mm)

lead length at T_L= 95 °C

Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

Storage temperature range

T_J, T_STG

- 65 to + 125

°C

Document Number 88526

13-Jul-05

www.vishay.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N5822/64-E3	VISHAY	DIODE 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode	获取价格
1N5822/65	VISHAY	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC	获取价格
1N5822/65-E3	VISHAY	DIODE 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode	获取价格
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