1N5821-T3

更新时间： 2024-02-24 02:06:33

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WTE		整流二极管
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3页	39K
描述
3.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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1N5821-T3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-201AD
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.06
其他特性：	FREE WHEELING DIODE	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-201AD	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	2
最大非重复峰值正向电流：	80 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	3 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大重复峰值反向电压：	30 V
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N5821-T3 数据手册

WTE

PO WER SEM ICONDUCTORS

1N5820 – 1N5822

3.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Features

Schottky Barrier Chip

Guard Ring Die Construction for

Transient Protection

High Current Capability

Low Power Loss, High Efficiency

High Surge Current Capability

For Use in Low Voltage, High Frequency

Inverters, Free Wheeling, and Polarity

Protection Applications

Mechanical Data

DO-201AD

Min

Dim

Max

Case: Molded Plastic

25.4

—

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

Polarity: Cathode Band

8.50

9.50

1.30

5.60

1.20

5.0

Weight: 1.2 grams (approx.)

Mounting Position: Any

All Dimensions in mm

Marking: Type Number

Maximum Ratings and Electrical Characteristics ^@T_A^{=25°C unless otherwise specified}

Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

Characteristic

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

Symbol

1N5820

1N5821

1N5822

Unit

V^RRM

V^RWM

V^R

RMS Reverse Voltage

V^R(RMS)

I^O

Average Rectified Output Current (Note 1)

@T_L= 90°C

3.0

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms

Single half sine-wave superimposed on rated load

I^FSM

(JEDEC Method)

@T_L= 75°C

Forward Voltage

@I_F= 3.0A

@I_F= 9.4A

0.475

0.850

0.50

0.90

0.525

0.950

V^FM

Peak Reverse Current

At Rated DC Blocking Voltage

@T_A= 25°C

@T_A= 100°C

2.0

I^RM

Typical Junction Capacitance (Note 2)

C^j

250

K/W

°C

Typical Thermal Resistance Junction to Ambient

Operating and Storage Temperature Range

R^ꢀ^JA

T^j, T^STG

-65 to +150

Note: 1. Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.

2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.

1N5820 – 1N5822

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N5821-T3-LF	WTE	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 30V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COM	获取价格
1N5821-T3-LF	ONSEMI	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 30V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COM	获取价格
1N5821-TB	WTE	3.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	获取价格
1N5821-TB	ONSEMI	3.0A SCHOTTKY BARRIER DIODE	获取价格
1N5821-TB-LF	WTE	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 30V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COM	获取价格
1N5821-TP	MCC	3 Amp Schottky Barrier Rectifier 20 - 40 Volts	获取价格

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