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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.09 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-41 | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大输出电流： | 1 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 20 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5817-BP | MCC |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLAS |
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| 1N5817-BP-HF | MCC |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, |
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| 1N5817-E | LRC |
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Schottky Barrier Rectifiers Reverse Voltage 20 to 40V Forward Current 1.0A |
|
| 1N5817-E | RECTRON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41 |
|
| 1N5817E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2 |
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| 1N5817-E3/54 | VISHAY |
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Diode Schottky 20V 1A 2-Pin DO-204AL T/R |
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| 1N5817-E3/73 | VISHAY |
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Diode Schottky 20V 1A 2-Pin DO-204AL Ammo |
|
| 1N5817-E3/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2 |
|
| 1N5817FL | PJSEMI |
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SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS |
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| 1N5817FL | KEXIN |
获取价格 |
Schottky Diodes |
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