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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.06 |
| 其他特性： | LOW POWER LOSS | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-41 |
| JESD-30 代码： | O-PALF-W2 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出电流： | 1 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大重复峰值反向电压： | 20 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.01 µs | 表面贴装： | NO |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子面层： | NOT SPECIFIED |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5817-E | LRC |
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Schottky Barrier Rectifiers Reverse Voltage 20 to 40V Forward Current 1.0A |
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| 1N5817-E | RECTRON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41 |
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| 1N5817E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2 |
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| 1N5817-E3/54 | VISHAY |
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Diode Schottky 20V 1A 2-Pin DO-204AL T/R |
|
| 1N5817-E3/73 | VISHAY |
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Diode Schottky 20V 1A 2-Pin DO-204AL Ammo |
|
| 1N5817-E3/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2 |
|
| 1N5817FL | PJSEMI |
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SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS |
|
| 1N5817FL | KEXIN |
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Schottky Diodes |
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| 1N5817FW | SWST |
获取价格 |
肖特基二极管 |
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| 1N5817FW-AH | SWST |
获取价格 |
肖特基整流管 |
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