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1N5817E3

更新时间: 2024-02-07 01:17:22
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 130K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2

1N5817E3 技术参数

生命周期:Active包装说明:PLASTIC PACKAGE-2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.6
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:DO-41
JESD-30 代码:O-PALF-W2元件数量:1
端子数量:2最大输出电流:1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大重复峰值反向电压:20 V
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

1N5817E3 数据手册

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