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1N5817-E3/73

更新时间： 2024-01-23 10:16:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 80K
描述
Diode Schottky 20V 1A 2-Pin DO-204AL Ammo

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1N5817-E3/73 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：DO-41包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.16其他特性：FREE WHEELING DIODE
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.45 VJEDEC-95代码：DO-204AL
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：25 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：20 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLEBase Number Matches：1

1N5817-E3/73 数据手册

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1N5817, 1N5818, 1N5819  
Vishay General Semiconductor  
www.vishay.com  
Schottky Barrier Plastic Rectifier  
FEATURES  
• Guardring for overvoltage protection  
• Very small conduction losses  
• Extremely fast switching  
• Low forward voltage drop  
• High frequency operation  
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106  
DO-204AL (DO-41)  
• Material categorization: For definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in low voltage high frequency inverters,  
freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection  
applications.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
1.0 A  
VRRM  
IFSM  
20 V, 30 V, 40 V  
25 A  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-204AL (DO-41)  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade  
VF  
0.45 V, 0.55 V, 0.60 V  
125 °C  
TJ max.  
Package  
Diode variations  
DO-204AL  
Single  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
Polarity: Color band denotes the cathode end  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
1N5817  
20  
1N5818  
30  
1N5819  
40  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
V
V
V
V
VRMS  
14  
21  
28  
Maximum DC blocking voltage  
Maximum non-repetitive peak reverse voltage  
VDC  
20  
30  
40  
VRSM  
24  
36  
48  
Maximum average forward rectified current  
IF(AV)  
IFSM  
1.0  
25  
A
A
at 0.375" (9.5 mm) lead length at TL = 90 °C  
Peak forward surge current, 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load  
Voltage rate of change (rated VR)  
dV/dt  
10 000  
V/μs  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 65 to + 125  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
1.0  
3.1  
SYMBOL  
1N5817  
1N5818  
0.550  
0.875  
1.0  
1N5819  
UNIT  
(1)  
Maximum instantaneous forward voltage  
Maximum instantaneous forward voltage  
VF  
0.450  
0.600  
0.900  
V
V
(1)  
VF  
0.750  
TA = 25 °C  
Maximum average reverse current  
at rated DC blocking voltage  
(1)  
IR  
mA  
pF  
TA = 100 °C  
10  
Typical junction capacitance  
4.0 V, 1.0 MHz  
CJ  
125  
110  
Note  
(1)  
Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycle  
Revision: 13-Aug-13  
Document Number: 88525  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234

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