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1N5817G-TRE3

更新时间： 2024-02-15 18:20:40

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	131K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

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1N5817G-TRE3 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.6
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-41
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大重复峰值反向电压：	20 V
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

1N5817G-TRE3 数据手册

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与1N5817G-TRE3相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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1N5817H03	RECTRON	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41	获取价格
1N5817H03-2	RECTRON	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41	获取价格
1N5817H03-3	RECTRON	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41	获取价格
1N5817H03-4	RECTRON	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41	获取价格
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1N5817H07	RECTRON	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41	获取价格
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1N5817M	DIODES	1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	获取价格
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