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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.6 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-41 |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 1 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 最大重复峰值反向电压： | 20 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5817H | PANJIT |
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SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS |
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| 1N5817H01 | RECTRON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41 |
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| 1N5817H02-3 | RECTRON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41 |
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| 1N5817H03 | RECTRON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41 |
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| 1N5817H03-2 | RECTRON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41 |
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| 1N5817H03-3 | RECTRON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41 |
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| 1N5817H03-4 | RECTRON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41 |
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| 1N5817H04 | RECTRON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41 |
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| 1N5817H06 | RECTRON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41 |
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| 1N5817H07 | RECTRON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41 |
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