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1N5817M

更新时间： 2024-11-15 22:38:07
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美台 - DIODES 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 62K
描述
1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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1N5817M 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：MELF包装说明：MELF-2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.05其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.45 VJESD-30 代码：O-LELF-R2
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：25 A
元件数量：1端子数量：2
最大输出电流：1 A封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：235认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：20 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WRAP AROUND
端子位置：END处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

1N5817M 数据手册

 浏览型号1N5817M的Datasheet PDF文件第2页 
1N5817M / 1N5818M / 1N5819M  
1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY  
BARRIER RECTIFIER  
Features  
·
·
·
·
·
High Current Capability  
Low Forward Voltage Drop  
Guard Ring for Transient Protection  
Glass Package for High Reliability  
Packaged for Surface Mount Applications  
A
B
C
Mechanical Data  
MELF  
Min  
Dim  
A
Max  
5.20  
2.60  
·
·
Case: MELF, Glass  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,  
4.80  
2.40  
Method 208  
B
·
·
·
Polarity: Cathode band  
Approx Weight: 0.25 gram  
Mounting Position: Any  
C
0.55 Nominal  
All Dimensions in mm  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
1N5817M  
1N5818M  
1N5819M  
Units  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
20  
14  
30  
40  
28  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
21  
V
A
Maximum Average Forward Rectified Current  
1.0  
@TT = 90°C (Note 1)  
Maximum Forward Surge Current. Half Cycle @60Hz  
Superimposed on rated load, JEDEC Method  
IFSM  
VF  
25  
A
V
Maximum Forward Voltage Drop  
@ IF = 1.0A  
@ IF = 3.0A  
0.450  
0.750  
0.550  
0.875  
0.600  
0.900  
Maximum Reverse Leakage Current @ VRRM  
@ TA = 25°C  
@ TA = 100°C  
1.0  
10  
IR  
mA  
RqJA  
Cj  
Typical Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
130  
110  
K/W  
pF  
Tj, TSTG  
-60 to +125  
°C  
Storage and Operating Temperature Range  
Notes:  
1. Valid provided that terminals are kept at ambient temperature.  
2. Measured at VR = 4.0V, f = 1.0MHz.  
DS13001 Rev. D-2  
1 of 2  
1N5817M/1N5818M/1N5819M  
12

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1N5817M 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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