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1N5817G-TR

更新时间: 2024-11-16 13:03:39
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
3页 118K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

1N5817G-TR 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-41
包装说明:HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.09
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:DO-41
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:1 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:20 V表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N5817G-TR 数据手册

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