1N5711W_

更新时间： 2024-01-31 16:20:22

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
2页	42K
描述
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

1N5711W_ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	R-PDSO-G2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.45
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	0.015 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	70 V	最大反向恢复时间：	0.001 µs
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

1N5711W_ 数据手册

1N5711W

Surface Mount Schottky Barrier Diode

Voltage Range

70 Volts

250m Watts Power Dissipation

SOD-123

Features

0.022(0.55)

Typ. Min.

0.053(1.35)

Max.

ꢀ

Low forward voltage drop

Guard Ring Construction for Transient

ꢀ

Protection

ꢀ

Fast switching time

Low Reverse Capacitance

Surface mount package ideally suited for

automatic insertion

0.152(3.85)

0.140(3.55)

0.112(2.85)

0.100(2.55)

0.010(0.25)

Min.

Mechanical Data

ꢀ

Case: SOD-123, Plastic

Terminals: Solderable per MIIL-STD-202,

Method 208

0.067(1.70)

0.55(1.40)

0.006(0.15)

Typ. Min.

ꢀ

Polarity: Cathode Band

Marking: Date Code and Type Code

Type Code: SA

0.004(0.10)

Max.

ꢀ

Weight: 0.01 grams (approx.)

Dimensions in inches and (millimeters)

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Rating at 25℃ambient temperature unless otherwise specified.

Maximum Ratings

Type Number

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

Symbol

VRRM

VRWM

1N5711W

Units

RMS Reverse Voltage

VR(RMS)

IFM

250

Maximum Forward Current

Power Dissipation (Note 1)

Thermal Resistance Junction to Ambient Air

(Note 1)

Operating and Storage Temperature Range

Electrical Characteristics

Type Number

RθJA

600

K/W

^OC

T_J, T_STG

-65 to + 175

Symbol

V(BR)

Min

Typ

Max

Units

Reverse Breakdown Voltage

Reverse Leakage Current

Forward Voltage Drop

IR=10uA

VR=50V

200

IF=1.0mA

IF=15mA

0.41

1.0

Junction Capacitance VR=0, f=1.0MHz

2.0

trr

Reverse Recovery Time (Note 2)

1.0

Notes: 1. Valid Provided that Terminals are Kept at Ambient Temperature.

2. Reverse Recovery Test Conditions: IF=IR=10mA, Irr=0.1 x IR, RL=100Ω.

- 26 -

下载PDF

与1N5711W_相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N5711W_08	BL Galaxy Electrical	Surface mount schottky barrier diode	获取价格
1N5711W_08	DIODES	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE	获取价格
1N5711W-7	DIODES	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.015A, 70V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-2	获取价格
1N5711W-7-F	DIODES	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE	获取价格
1N5711WS	DIODES	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE	获取价格
1N5711WS	KEXIN	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARIER DIODE	获取价格