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1N5711WS

更新时间： 2024-01-13 18:45:02

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科信 - KEXIN		肖特基二极管
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1页	35K
描述
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARIER DIODE

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1N5711WS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	R-PDSO-G2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.45
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	0.015 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	70 V	最大反向恢复时间：	0.001 µs
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

1N5711WS 数据手册

SMD Type

Diodes

SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARIER DIODE

1N5711WS

SOD-323

Unit: mm

+0.1

1.7

-0.1

+0.05

0.85

-0.05

Features

Low Forward Voltage Drop

Guard Ring Construction for Transient Prote

Fast Switching Speed

+0.1

2.6

-0.1

1.0max

Low Capacitance

0.475

0.375

Surface Mount Package ldeally Suited for Automatic Insertion

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Paramater

Peak Repetitive Reverse voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Volatge

Symbol

Value

Unit

V^RRM

VRWM

RMS Reverse Voltage

VR(RMS)

I^FM

Forward Continuous Current

Power Dissipation (Note1)

P^d

150

Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)

Operating and Storage Temperature Range

Storage Temperature Range

Note:

R^èJA

T^j

650

-55 to+125

-55 to+150

TSTG

1. Part mounted on FR-4 PC board with recommended pad layout.

Electrical Characteristics Ta = 25

Characteristic

Symbol

V(BR)R

I^R

Test Condition

IR = 10

Min

TYP

Max

Unit

Reverse BreakdownVoltage (Note 2)

Reverse Leakage Current (Note 2)

200

0.41

1.00

2.0

VR = 50 V

I^F= 1.0 mA

Forward Voltage Drop (Note 2)

V^F

C^T

trr

I^F= 15 mA

Total Capacitance

VR = 0 V, f = 1.0 MHz

I^F=IR = 5.0 mA

Irr = 0.1 x I^R, RL = 100

Reverse Recovery Time

1.0

Note:

2. Measured with I^F=IR = 10 mA,IRR = 0.1 x IR, RL = 100

Marking

www.kexin.com.cn

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