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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 1N5711WS-7
1N5711WS-7 PDF预览

1N5711WS-7

更新时间： 2024-02-27 04:48:56
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
3页 139K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.015A, 70V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-2

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1N5711WS-7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-G2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：1.31配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.41 VJESD-30 代码：R-PDSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：0.015 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.15 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：70 V
最大反向恢复时间：0.001 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

1N5711WS-7 数据手册

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SPICE MODEL: 1N5711WS  
1N5711WS  
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE  
Features  
•
•
•
•
•
•
Low Forward Voltage Drop  
Guard Ring Construction for Transient Protection  
Fast Switching Speed  
Low Capacitance  
Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion  
Lead Free/RoHS Compliant (Note 3)  
SOD-323  
Dim  
A
Min  
2.30  
1.60  
1.20  
Max  
2.70  
1.80  
1.40  
B
C
D
1.05 Typical  
Mechanical Data  
E
0.25  
0.20  
0.10  
0.35  
0.40  
0.15  
•
•
Case: SOD-323  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability Classification  
Rating 94V-0  
G
H
•
•
•
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Lead Free Plating (Matte Tin Finish annealed over  
Alloy 42 leadframe).  
J
0.05 Typical  
0° 8°  
α
All Dimensions in mm  
•
•
•
•
Polarity: Cathode Band  
Marking Information: See Page 3  
Ordering Information: See Page 3  
Weight: 0.004 grams (approximate)  
Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
70  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IFM  
49  
15  
V
mA  
mW  
°C/W  
°C  
Forward Continuous Current  
Power Dissipation (Note 1)  
PD  
150  
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
650  
RθJA  
Tj  
-55 to +125  
-55 to +150  
TSTG  
°C  
Electrical Characteristics @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Reverse Breakdown Voltage (Note 2)  
Symbol  
V(BR)R  
IR  
Min  
70  
Typ  
⎯
Max  
⎯
Unit  
V
Test Conditions  
IR = 10μA  
Reverse Leakage Current (Note 2)  
200  
nA  
VR = 50V  
⎯
⎯
0.41  
1.00  
IF = 1.0mA  
IF = 15mA  
Forward Voltage Drop  
VF  
CT  
trr  
V
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
Total Capacitance  
2.0  
1.0  
pF  
ns  
VR = 0V, f = 1.0MHz  
IF = IR = 5.0mA,  
Irr = 0.1 x IR, RL = 100Ω  
Reverse Recovery Time  
Note:  
1. Part mounted on FR-4 PC board with recommended pad layout, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.  
3. No purposefully added lead.  
DS31033 Rev. 10 - 2  
1 of 3  
1N5711WS  
© Diodes Incorporated  
www.diodes.com  
123

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