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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 1N5711W-7-F
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1N5711W-7-F

更新时间： 2024-02-26 13:59:26
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管肖特基二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 42K
描述
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

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1N5711W-7-F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：GREEN, PLASTIC PACKAGE-2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
Factory Lead Time：15 weeks风险等级：1.31
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.41 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.015 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：0.333 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：70 V最大反向恢复时间：0.001 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

1N5711W-7-F 数据手册

 浏览型号1N5711W-7-F的Datasheet PDF文件第2页 
1N5711W  
Surface Mount Schottky Barrier Diode  
Voltage Range  
70 Volts  
250m Watts Power Dissipation  
SOD-123  
Features  
0.022(0.55)  
Typ. Min.  
0.053(1.35)  
Max.  
ꢀ
Low forward voltage drop  
Guard Ring Construction for Transient  
ꢀ
Protection  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Fast switching time  
Low Reverse Capacitance  
Surface mount package ideally suited for  
automatic insertion  
0.152(3.85)  
0.140(3.55)  
0.112(2.85)  
0.100(2.55)  
0.010(0.25)  
Min.  
Mechanical Data  
ꢀ
Case: SOD-123, Plastic  
Terminals: Solderable per MIIL-STD-202,  
Method 208  
0.067(1.70)  
0.55(1.40)  
0.006(0.15)  
Typ. Min.  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Polarity: Cathode Band  
Marking: Date Code and Type Code  
Type Code: SA  
0.004(0.10)  
Max.  
ꢀ
Weight: 0.01 grams (approx.)  
Dimensions in inches and (millimeters)  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Rating at 25℃ambient temperature unless otherwise specified.  
Maximum Ratings  
Type Number  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
Symbol  
VRRM  
VRWM  
VR  
1N5711W  
Units  
70  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IFM  
49  
15  
250  
V
mA  
mW  
Maximum Forward Current  
Power Dissipation (Note 1)  
Pd  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air  
(Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
Electrical Characteristics  
Type Number  
RθJA  
600  
K/W  
OC  
TJ, TSTG  
-65 to + 175  
Symbol  
V(BR)  
IR  
Min  
70  
Typ  
-
-
Max  
Units  
-
Reverse Breakdown Voltage  
Reverse Leakage Current  
Forward Voltage Drop  
IR=10uA  
V
VR=50V  
-
200  
nA  
IF=1.0mA  
IF=15mA  
70  
-
-
-
-
-
0.41  
1.0  
VF  
V
Junction Capacitance VR=0, f=1.0MHz  
2.0  
Cj  
trr  
pF  
nS  
-
-
Reverse Recovery Time (Note 2)  
1.0  
Notes: 1. Valid Provided that Terminals are Kept at Ambient Temperature.  
2. Reverse Recovery Test Conditions: IF=IR=10mA, Irr=0.1 x IR, RL=100Ω.  
- 26 -  
12

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