1N5711WS-TP

更新时间： 2024-01-04 00:41:18

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		二极管开关
页数	文件大小	规格书
2页	111K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.015A, 70V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

1N5711WS-TP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	R-PDSO-G2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.45
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	0.015 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	70 V	最大反向恢复时间：	0.001 µs
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

1N5711WS-TP 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

21201 Itasca Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

1N5711

Features

Fast Switching Speed

Schottky Barrier

Switching Diode

High Reverse Breakdown Voltage

Low Forward Voltage Drop

For General Purpose Application

Mechanical Data

l Case: DO-35, Glass

l Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208

l Polarity: Indicated by Cathode Band

l Weight: 0.13 grams ( approx.)

DO-35

Maximum Ratings @ 25^oC Unless Otherwise Specified

Characteristic

Symbol

V_RRM

Value

Unit

Peak Reverse Voltage

I_FM

Forward Continuous Current(Note1)

Maximum Single cycle surge 10us

square wave

I_FSM

2.0

Cathode

Mark

Power Dissipation(Note 1)

P_d

400

0.3

K/mW

^oC

Thermal Resistance(Note 1)

Operation/Storage Temp. Range

Tj, T_STG

-55 to 150

Electrical Characteristics @ 25^oC Unless Otherwise Specified

Charateristic

Reverse Breakdown

Volt.

Symbol Min

Max Unit

Test Cond.

I_R=10uA

V_(BR)R

-----

Reverse Leakge Current.

I_R

-----

200

nA V_R=50V

I_F=1.0mA

0.41

V _F

Forward Volt. Drop

I_F=15mA

DIMENSIONS

Junction Capacitance

INCHES

MIN

---

MIN

---

25.40

C_j

t_rr

-----

2.0

1.0

pF V_R=0V, f=1.0MHz

I_F=I_R=5mA,

DIM

MAX

.166

.079

.020

---

MAX

4.2

2.00

.52

NOTE

I_rr=0.1×I_R

Reverse Recovery Time

R _L=100OHM

1.000

---

Note: 1. Valid provided that electrodes are kept at

ambient temperature

www.mccsemi.com

下载PDF

与1N5711WS-TP相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N5711X	MICROSEMI	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, Silicon	获取价格
1N5712	AGILENT	Schottky Barrier Diodes for General Purpose Applications	获取价格
1N5712	JINANJINGHENG	SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES	获取价格
1N5712	MICROSEMI	SCHOTTKY BARRIER DIODES LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT	获取价格
1N5712	NJSEMI	Schottky Barrier Diodes for General Purpose Applications	获取价格
1N5712	LGE	Small Signal Schottky Diodes	获取价格