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1N5418USE3

更新时间: 2024-01-17 01:39:50
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美高森美 - MICROSEMI 快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
5页 241K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, MELF-2

1N5418USE3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:MELF-2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.62其他特性:HIGH RELIABILITY
应用:FAST RECOVERY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.5 V
JESD-30 代码:O-LELF-R2JESD-609代码:e3
最大非重复峰值正向电流:80 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:3 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):260最大重复峰值反向电压:400 V
最大反向电流:1 µA最大反向恢复时间:0.15 µs
表面贴装:YES端子面层:MATTE TIN
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:30Base Number Matches:1

1N5418USE3 数据手册

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