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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 1N5420
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1N5420

更新时间： 2024-02-01 01:10:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管开关
页数 文件大小 规格书
2页 55K
描述
GLASS PASSIVATED FAST SWITCHING RECTIFIER

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1N5420 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：MELF
包装说明：HERMETIC SEALED, D-5, MELF-2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.21
其他特性：METALLURGICALLY BONDED应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.5 VJESD-30 代码：E-LELF-R2
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：80 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：GLASS
封装形状：ELLIPTICAL封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向电流：1 µA
最大反向恢复时间：0.4 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WRAP AROUND端子位置：END
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

1N5420 数据手册

 浏览型号1N5420的Datasheet PDF文件第2页 
1N5415 THRU 1N5420  
GLASS PASSIVATED FAST SWITCHING RECTIFIER  
Reverse Voltage - 50 to 600 Volts Forward Current - 3.0 Amperes  
FEATURES  
♦ Glass passivated cavity-free junction  
♦ High temperature metallurgically bonded construction  
♦ Hermetically sealed package  
♦ Capable of meeting  
Case Style G4  
environmental  
standards of  
1.0 (25.4)  
MIN.  
0.180 (4.6)  
0.115 (2.9)  
DIA.  
MIL-S-19500  
♦ Fast switching for  
high efficiency  
0.300 (7.6)  
MAX.  
♦ High temperature soldering guaranteed:  
350°C/10 seconds, 0.375" (9.5mm) lead length,  
5 lbs. (2.3kg) tension  
0.042 (1.07)  
1.0 (25.4)  
MIN.  
0.038 (0.962)  
DIA.  
MECHANICAL DATA  
Case: Solid glass body  
Terminals: Solder plated axial leads, solderable per  
MIL-STD-750, Method 2026  
Polarity: Color band denotes cathode end  
Mounting Position: Any  
Dimensions in inches and (millimeters)  
*
Brazed-lead assembly is covered by Patent No. 3,930,306  
Weight: 0.037 ounce, 1.04 grams  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
SYMBOLS  
VRRM  
VRMS  
VDC  
1N5415  
50  
1N5416  
100  
70  
1N5417  
200  
1N5418  
400  
1N5419  
500  
1N5420  
600  
UNITS  
Volts  
Volts  
Volts  
Volts  
*Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
35  
140  
280  
350  
420  
*Maximum DC blocking voltage  
50  
100  
110  
200  
400  
500  
600  
*Minimum reverse breakdown voltage at 50µA  
VBR  
55  
220  
440  
550  
660  
*Maximum average forward rectified current  
0.375” (9.5mm) lead lengths atTA=55°C  
I(AV)  
IFSM  
VF  
3.0  
Amps  
Amps  
Volts  
µA  
Peak forward surge current  
8.3ms single half sine-wave superimposed  
on rated load (JEDEC Method) at TA=100°C  
80.0  
Maximum instantaneous forward voltage at 3.0A*  
9.0A  
1.10  
1.50  
Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage  
*TA=25°C  
TA=100°C  
*TA=175°C  
1.0  
20.0  
2.0  
IR  
*Maximum reverse recovery time (NOTE 1)  
*Maximum junction capacitance (NOTE 2)  
Typical thermal resistance (NOTE3)  
trr  
CJ  
150  
175  
250  
110  
400  
100  
ns  
pF  
200  
150  
120  
RΘJA  
TJ,TSTG  
22.0  
°C/W  
°C  
*Operating and storage temperature range  
-65 to +175  
NOTES:  
(1) Reverse recovery test conditions: IF=0.5A, IR= 1.0A, Irr=0.25A  
(2) Measured at 1.0 MHZ and applied reverse voltage of 12.0 Volts  
(3) Thermal resistance from junction to ambient at 0.375" (9.5mm) lead length, with both leads to heat sink  
*JEDEC registered values  
4/98  
12

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