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1N5420

更新时间： 2024-02-07 09:55:36
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 整流二极管快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
2页 282K
描述
FAST RECOVERY GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER 3 AMP, 500 AND 600 VOLTS

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1N5420 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：MELF
包装说明：HERMETIC SEALED, D-5, MELF-2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.21
其他特性：METALLURGICALLY BONDED应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.5 VJESD-30 代码：E-LELF-R2
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：80 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：GLASS
封装形状：ELLIPTICAL封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向电流：1 µA
最大反向恢复时间：0.4 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WRAP AROUND端子位置：END
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

1N5420 数据手册

 浏览型号1N5420的Datasheet PDF文件第2页 
1N5419  
1N5420  
www.centralsemi.com  
FAST RECOVERY GLASS  
PASSIVATED SILICON RECTIFIER  
3 AMP, 500 AND 600 VOLTS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 1N5419 and  
1N5420 are Silicon Rectifiers mounted in a hermetically  
sealed, glass passivated package, designed for general  
purpose applications where fast reverse recovery times  
and high reliability are required.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
GPR-4AM CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
1N5419  
1N5420  
UNITS  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
500  
600  
V
RRM  
V
500  
350  
600  
420  
V
V
R
RMS Reverse Voltage  
V
R(RMS)  
Average Forward Current (T =55°C)  
I
3.0  
80  
A
A
O
Peak Forward Surge Current, tp=8.3ms  
I
A
FSM  
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature  
-65 to +200  
°C  
J
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
I
I
V =Rated V  
1.0  
µA  
R
R
R
R
RRM  
RRM  
RRM  
V =Rated V  
, T =100°C  
20  
µA  
mA  
V
R
A
V =Rated V  
, T =175°C  
2.0  
1.1  
1.5  
R
A
V
I =3.0A  
F
F
F
V
I =9.0A  
V
F
BV  
I =50µA (1N5419)  
550  
660  
V
R
R
R
BV  
I =50µA (1N5420)  
V
R
C
C
V =12V, f=1.0MHz (1N5419)  
110  
100  
250  
400  
pF  
pF  
ns  
ns  
J
J
R
V =12V, f=1.0MHz (1N5420)  
R
t
t
I =0.5A, I =1.0A, I =0.25A (1N5419)  
rr  
rr  
F
R
rr  
I =0.5A, I =1.0A, I =0.25A (1N5420)  
F
R
rr  
R2 (11-April 2011)  
12

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1N5420 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N5420 SEMTECH

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 Axial Leaded Hermetically Sealed Fast Rectifier Diode

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