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1N5419USE3

更新时间: 2024-01-16 19:29:12
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美高森美 - MICROSEMI 快速恢复二极管
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5页 241K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 500V V(RRM), Silicon, MELF-2

1N5419USE3 技术参数

生命周期:Active包装说明:MELF-2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.62
其他特性:HIGH RELIABILITY应用:FAST RECOVERY
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.5 VJESD-30 代码:O-LELF-R2
最大非重复峰值正向电流:80 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:3 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大重复峰值反向电压:500 V最大反向电流:1 µA
最大反向恢复时间:0.25 µs表面贴装:YES
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
Base Number Matches:1

1N5419USE3 数据手册

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