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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | MELF |
| 包装说明： | HERMETIC SEALED, D-5, MELF-2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.21 |
| 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.5 V | JESD-30 代码： | E-LELF-R2 |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 80 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 3 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ELLIPTICAL | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 600 V | 最大反向电流： | 1 µA |
| 最大反向恢复时间： | 0.4 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WRAP AROUND | 端子位置： | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5420BK | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N5420LEADFREE | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GPR-3A, 2 |
|
| 1N5420TR | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N5420TRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N5420US | SENSITRON |
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HIGH CURRENT AXIAL LEAD/SURFACE MOUNT RECTIFIERS |
|
| 1N5420US | MICROSEMI |
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VOIDLESS-HERMETICALLY SEALED SURFACE MOUNT FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
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| 1N5420V | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, |
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| 1N5420X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, Silicon, |
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| 1N5439 | NJSEMI |
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VARACTOR TUNING DIODES |
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| 1N5439 | ONSEMI |
获取价格 |
DIODE VARACTOR DIODE,SINGLE,3.3PF C(T),DO-7, Variable Capacitance Diode |
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