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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | DO-35 |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.33 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e3 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 2 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 最大输出电流： | 0.2 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 80 V |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANTX1N483B | MICROSEMI |
功能相似  |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 |
|
| NTE177 | NTE |
功能相似 |
General Purpose Silicon Rectifier |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N483B_1 | MICROSEMI |
获取价格 |
SWITCHING DIODE |
|
| 1N483BM | ETC |
获取价格 |
silicon diode |
|
| 1N483BR | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 150V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N483BUR | MICROSEMI |
获取价格 |
SWITCHING DIODE |
|
| 1N483BX | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 150V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N483C | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 70V V(RRM), |
|
| 1N483M | ETC |
获取价格 |
silicon diode |
|
| 1N483MB | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 70V 0.2A 2-Pin DO-35 |
|
| 1N484 | MICROSEMI |
获取价格 |
3 WATT GLASS ZENER DIODES |
|
| 1N484 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode 200V 0.5A 2-Pin DO-35 T/R |
|
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