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1N484BX

更新时间: 2024-11-14 13:03:35
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美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管
页数 文件大小 规格书
2页 72K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 150V V(RRM), Silicon,

1N484BX 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.7
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最大输出电流:0.15 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:0.4 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:150 V表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

1N484BX 数据手册

 浏览型号1N484BX的Datasheet PDF文件第2页 

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