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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.29 |
| 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大输出电流： | 0.1 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 180 V |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N485B | MICROSEMI |
类似代替  |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 |
|
| JANTX1N485B | MICROSEMI |
类似代替 |
METALLURGICALLY BONDED, HERMETICALLY SEALED |
|
| 1N485B | FAIRCHILD |
功能相似 |
Small Signal Diode |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N485BBK | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-35 |
|
| 1N485BBKLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-35 |
|
| 1N485BDIE | FAIRCHILD |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, DIE |
|
| 1N485BR | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 200V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N485BT50A | TI |
获取价格 |
200V, SILICON, SIGNAL DIODE |
|
| 1N485BT50R | TI |
获取价格 |
200V, SILICON, SIGNAL DIODE |
|
| 1N485BTR | ROCHESTER |
获取价格 |
0.2 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, LEAD FREE PACKAGE-2 |
|
| 1N485BTR | ONSEMI |
获取价格 |
通用低泄露二极管 |
|
| 1N485BX | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 200V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N485C | ETC |
获取价格 |
silicon diode |
|
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